TK10A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK10A55D(STA4,Q,M) | TK10A55D(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK10A55D(STA4,Q,M)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TK10A55D(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK10A55D(STA4,Q,M)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TK10A55D(STA4,Q,M) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TK10A55D(STA4,Q,M) Tekniset tiedot

Osa numero:	TK10A55D(STA4,Q,M)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	π-MOSVII
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	550 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	720mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	45W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220SIS
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack