FDT439N | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDT439N

FDT439N

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDT439N
LIXINC Part #	FDT439N
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDT439N PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDT439N Tekniset tiedot

Osa numero:	FDT439N
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	500 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-223-4
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA