SIDR392DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIDR392DP-T1-GE3 | SIDR392DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIDR392DP-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SIDR392DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIDR392DP-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SIDR392DP-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SIDR392DP-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SIDR392DP-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET® Gen IV
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	82A (Ta), 100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	188 nC @ 10 V
vgs (max):	+20V, -16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	9530 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® SO-8DC
paketti/laukku:	PowerPAK® SO-8

IRF7749L2TRPBF	IRF7749 - 12V-300V N-CHANNEL POW	31038 Lisää tilauksesta
PSMN7R6-60PS,127	MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB	1045 Lisää tilauksesta
IRFS31N20DTRLP	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	817 Lisää tilauksesta
SSM3K56CT,L3F	MOSFET N-CH 20V 800MA CST3	26729 Lisää tilauksesta
AUIRF1010EZ	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	6989 Lisää tilauksesta
PSMN9R5-30YLC,115	MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56	13611 Lisää tilauksesta
FQD6N50CTF	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK	9906 Lisää tilauksesta
FDA33N25	MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN	817 Lisää tilauksesta
IPB025N10N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7	829 Lisää tilauksesta
DMN4035L-7	MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23	3962 Lisää tilauksesta
STF10NM50N	MOSFET N-CH 500V 7A TO220FP	971 Lisää tilauksesta
IPB47N10SL-26	IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU	968 Lisää tilauksesta
NTP75N03-006	MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB	7082 Lisää tilauksesta