CSD25211W1015 | Texas Instruments CSD25211W1015 | CSD25211W1015 Inventory, Best Pricing

CSD25211W1015

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CSD25211W1015
LIXINC Part #	CSD25211W1015
Valmistaja	Texas Instruments
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CSD25211W1015 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CSD25211W1015 Tekniset tiedot

Osa numero:	CSD25211W1015
Brändi:	Texas Instruments
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Texas Instruments
sarja:	NexFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.2A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	33mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4.1 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-6V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	570 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-DSBGA (1x1.5)
paketti/laukku:	6-UFBGA, DSBGA