IRLML2402TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRLML2402TRPBF | IRLML2402TRPBF Inventory, Best Pricing

IRLML2402TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRLML2402TRPBF
LIXINC Part #	IRLML2402TRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRLML2402TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRLML2402TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRLML2402TRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.2A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.7V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 930mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	3.9 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	110 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	540mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Micro3™/SOT-23
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3