STP13NM60ND | STMicroelectronics STP13NM60ND | STP13NM60ND Inventory, Best Pricing

STP13NM60ND

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STP13NM60ND
LIXINC Part #	STP13NM60ND
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STP13NM60ND PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STP13NM60ND Tekniset tiedot

Osa numero:	STP13NM60ND
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	FDmesh™ II
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	24.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	845 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	109W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220
paketti/laukku:	TO-220-3