SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ4401EY-T1_GE3 | SQ4401EY-T1

SQ4401EY-T1_GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SQ4401EY-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ4401EY-T1_GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SQ4401EY-T1_GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 03 - Jul 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SQ4401EY-T1_GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SQ4401EY-T1_GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	17.3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	14mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	115 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4250 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	7.14W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)