NP80N04MHE-S18-AY | Rochester Electronics NP80N04MHE-S18-AY | NP80N04MHE-S18-AY Inventory, Best Pricing

NP80N04MHE-S18-AY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NP80N04MHE-S18-AY
LIXINC Part #	NP80N04MHE-S18-AY
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 80A TO220
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NP80N04MHE-S18-AY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NP80N04MHE-S18-AY Tekniset tiedot

Osa numero:	NP80N04MHE-S18-AY
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3.3 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta), 120W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220
paketti/laukku:	TO-220-3