APT23F60B | Roving Networks / Microchip Technology APT23F60B

APT23F60B

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	APT23F60B
LIXINC Part #	APT23F60B
Valmistaja	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	APT23F60B PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

APT23F60B Tekniset tiedot

Osa numero:	APT23F60B
Brändi:	Roving Networks / Microchip Technology
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Roving Networks / Microchip Technology
sarja:	POWER MOS 8™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	24A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4415 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	415W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247 [B]
paketti/laukku:	TO-247-3