IAUC100N08S5N043ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUC100N08S5N043ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUC100N08S5N043ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IAUC100N08S5N043ATMA1
LIXINC Part #	IAUC100N08S5N043ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IAUC100N08S5N043ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IAUC100N08S5N043ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IAUC100N08S5N043ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 63µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3860 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TDSON-8-34
paketti/laukku:	8-PowerTDFN