IPP65R310CFDXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP65R310CFDXKSA1 | IPP65R310CFDXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP65R310CFDXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP65R310CFDXKSA1
LIXINC Part #	IPP65R310CFDXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP65R310CFDXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP65R310CFDXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP65R310CFDXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	310mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 440µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	41 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	104.2W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3

IXFT220N20X3HV	MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV	1289 Lisää tilauksesta
IPA65R600C6	N-CHANNEL POWER MOSFET	1835 Lisää tilauksesta
FDMA6676PZ	MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET	896 Lisää tilauksesta
IRF644	14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL	25633 Lisää tilauksesta
NTD4960N-35G	MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK	857 Lisää tilauksesta
SQD40P10-40L_GE3	MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA	884 Lisää tilauksesta
BSC090N03MSG	BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P	61104 Lisää tilauksesta
NVTFS5C454NLWFTAG	MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN	23825 Lisää tilauksesta
FDMS0300S	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	6314 Lisää tilauksesta
PMZ250UN,315	MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3	91126 Lisää tilauksesta
NP88N055MLE-S18-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	2230 Lisää tilauksesta
IRFH7194TRPBF	HEXFET POWER MOSFET	2816 Lisää tilauksesta
STF11NM50N	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP	996 Lisää tilauksesta