SI4490DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4490DY-T1-GE3 | SI4490DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4490DY-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI4490DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4490DY-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI4490DY-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI4490DY-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI4490DY-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.85A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA (Min)
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.56W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

TK7R4A10PL,S4X	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	1108 Lisää tilauksesta
IRFF211	N-CHANNEL POWER MOSFET	2006 Lisää tilauksesta
FDD9411L-F085	MOSFET N-CH 40V 25A TO252	1550 Lisää tilauksesta
IXFN140N25T	MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B	1495 Lisää tilauksesta
FQAF6N90	MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF	2627 Lisää tilauksesta
2SK2624ALS	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FI	915 Lisää tilauksesta
IAUA200N04S5N010AUMA1	MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF	954 Lisää tilauksesta
FCPF220N80	MOSFET N-CH 800V 23A TO220F	10957 Lisää tilauksesta
BSZ110N06NS3GATMA1	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON	22539 Lisää tilauksesta
BUK6218-40C,118	PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1	875 Lisää tilauksesta
IRFR222	N-CHANNEL POWER MOSFET	1932 Lisää tilauksesta
SQJA60EP-T1_BE3	MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8	3899 Lisää tilauksesta
RTL035N03FRATR	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6	6762 Lisää tilauksesta