XPH3R114MC,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPH3R114MC,L1XHQ

XPH3R114MC,L1XHQ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	XPH3R114MC,L1XHQ
LIXINC Part #	XPH3R114MC,L1XHQ
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	XPH3R114MC,L1XHQ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

XPH3R114MC,L1XHQ Tekniset tiedot

Osa numero:	XPH3R114MC,L1XHQ
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVI
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	230 nC @ 10 V
vgs (max):	+20V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	9500 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	960mW (Ta), 170W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SOP Advance (5x5)
paketti/laukku:	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)