IPL60R360P6SATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPL60R360P6SATMA1 | IPL60R360P6SATMA1 Inventory, Best Pricing

IPL60R360P6SATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPL60R360P6SATMA1
LIXINC Part #	IPL60R360P6SATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPL60R360P6SATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPL60R360P6SATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPL60R360P6SATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™ P6
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 370µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1010 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	89.3W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-ThinPak (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN