BG3123RH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BG3123RH6327XTSA1 | BG3123RH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BG3123RH6327XTSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BG3123RH6327XTSA1
LIXINC Part #	BG3123RH6327XTSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BG3123RH6327XTSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 26 - Oct 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BG3123RH6327XTSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BG3123RH6327XTSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
taajuus:	800MHz
saada:	25dB
jännite - testi:	5 V
nykyinen arvo (ampeeria):	25mA, 20mA
melukuva:	1.8dB
virta - testi:	14 mA
teho - lähtö:	-
jännite - nimellinen:	8 V
paketti/laukku:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
toimittajan laitepaketti:	PG-SOT363-6