BF1212WR,115 | NXP Semiconductors BF1212WR,115 | BF1212WR,115 Inventory, Best Pricing

BF1212WR,115

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BF1212WR,115
LIXINC Part #	BF1212WR,115
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BF1212WR,115 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 24 - Oct 28 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BF1212WR,115 Tekniset tiedot

Osa numero:	BF1212WR,115
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	N-Channel Dual Gate
taajuus:	400MHz
saada:	30dB
jännite - testi:	5 V
nykyinen arvo (ampeeria):	30mA
melukuva:	0.9dB
virta - testi:	12 mA
teho - lähtö:	-
jännite - nimellinen:	6 V
paketti/laukku:	SC-82A, SOT-343
toimittajan laitepaketti:	CMPAK-4

PTFA192001EV4R250XTMA1	FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2	801 Lisää tilauksesta
LET9150	MOSFET N-CH 80V 20A M-246	969 Lisää tilauksesta
AFT09S220-02NR3	IC TRANS RF LDMOS	959 Lisää tilauksesta
MRF6S23140HR5	FET RF 68V 2.39GHZ NI-880	834 Lisää tilauksesta
BLF6G27L-50BN,112	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A	880 Lisää tilauksesta
ATF-33143-TR2G	FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343	997 Lisää tilauksesta
MRF6V13250HR3	FET RF 120V 1.3GHZ NI-780	840 Lisää tilauksesta
MW7IC2425NBR1	FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16	949 Lisää tilauksesta
ATF-331M4-TR2	IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK	902 Lisää tilauksesta
BLF4G20-110B,112	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A	959 Lisää tilauksesta
BF1107,215	MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23	828 Lisää tilauksesta
BLF6G22-45,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A	977 Lisää tilauksesta
PTFA212401E V4	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2	871 Lisää tilauksesta