MRF6S20010GNR1 | NXP Semiconductors MRF6S20010GNR1 | MRF6S20010GNR1 Inventory, Best Pricing

MRF6S20010GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRF6S20010GNR1
LIXINC Part #	MRF6S20010GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRF6S20010GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRF6S20010GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRF6S20010GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.17GHz
saada:	15.5dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	130 mA
teho - lähtö:	10W
jännite - nimellinen:	68 V
paketti/laukku:	TO-270BA
toimittajan laitepaketti:	TO-270-2 GULL

MCH3309-TL-E	PCH 2.5V DRIVE SERIES	846 Lisää tilauksesta
BLC9G27XS-380AVTY	BLC9G27XS-380AVT/SOT1258/REELD	886 Lisää tilauksesta
AFT20P140-4WNR3	RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4	1080 Lisää tilauksesta
MRF175LU	FET RF 65V 400MHZ 333-04	1101 Lisää tilauksesta
J111RLRA	SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET	84984 Lisää tilauksesta
BLA9H0912L-700U	BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY	978 Lisää tilauksesta
BLC8G22LS-450AVZ	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583	966 Lisää tilauksesta
SD2932W	IC TRANS RF HF/VHF/UHF	979 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-100V,118	RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6	892 Lisää tilauksesta
MRF6S9160HSR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	984 Lisää tilauksesta
MRFG35003NT1	FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD	914 Lisää tilauksesta
AFV141KHSR5	IC TRANS RF LDMOS	994 Lisää tilauksesta
BLC9G20LS-120VTZ	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2	983 Lisää tilauksesta