MRFE6S9060NR1 | NXP Semiconductors MRFE6S9060NR1 | MRFE6S9060NR1 Inventory, Best Pricing

MRFE6S9060NR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRFE6S9060NR1
LIXINC Part #	MRFE6S9060NR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 66V 880MHZ TO270-2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRFE6S9060NR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Aug 12 - Aug 16 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRFE6S9060NR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRFE6S9060NR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	880MHz
saada:	21.1dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	450 mA
teho - lähtö:	14W
jännite - nimellinen:	66 V
paketti/laukku:	TO-270AA
toimittajan laitepaketti:	TO-270-2

MRF8S9102NR3	RF PFET ULTRA HIGH FREQUENCY B	895 Lisää tilauksesta
BLC2425M8LS300PZ	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501	1004 Lisää tilauksesta
SD56120C	FET RF 72V 860MHZ M246	822 Lisää tilauksesta
MRF6VP3450HSR5	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1403 Lisää tilauksesta
BLC8G27LS-160AVU	RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751	882 Lisää tilauksesta
BLC9G10XS-120AZ	RF LDMOS TRANS 120W SOT1273	1057 Lisää tilauksesta
BLS9G3135LS-115U	BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY	900 Lisää tilauksesta
BLP9LA25SGZ	BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP	959 Lisää tilauksesta
STAC4932B	TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B	924 Lisää tilauksesta
BLF8G09LS-270GWQ	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C	969 Lisää tilauksesta
MRF6S9130HSR5	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	894 Lisää tilauksesta
MRF5S19060NR1	FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4	839 Lisää tilauksesta
BLP10H603Z	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	969 Lisää tilauksesta