NE651R479A-T1-A | Rochester Electronics NE651R479A-T1-A | NE651R479A-T1-A Inventory, Best Pricing

NE651R479A-T1-A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NE651R479A-T1-A
LIXINC Part #	NE651R479A-T1-A
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	N-CHANNEL 8V 1A GAAS HFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NE651R479A-T1-A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 11 - Sep 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NE651R479A-T1-A Tekniset tiedot

Osa numero:	NE651R479A-T1-A
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	HFET
taajuus:	1.9GHz
saada:	12dB
jännite - testi:	3.5 V
nykyinen arvo (ampeeria):	1A
melukuva:	-
virta - testi:	50 mA
teho - lähtö:	27dBm
jännite - nimellinen:	8 V
paketti/laukku:	4-SMD, Flat Leads
toimittajan laitepaketti:	79A

MRF8S21100HR5	RF POWER N-CHANNEL, MOSFET	894 Lisää tilauksesta
BLF184XRGQ	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C	927 Lisää tilauksesta
2N5950	SMALL SIGNAL FET	3430 Lisää tilauksesta
AFT21S232SR3	FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2	942 Lisää tilauksesta
BLC10G20LS-240PWTZ	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3	884 Lisää tilauksesta
BLL6H0514LS-130,11	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B	972 Lisää tilauksesta
BLC9G20LS-240PVZ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT12753	933 Lisää tilauksesta
MRF6V12250HSR5	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S	896 Lisää tilauksesta
BLS7G2729L-350P,11	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A	930 Lisää tilauksesta
BLF174XRS,112	RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B	946 Lisää tilauksesta
MRF6S9160HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	908 Lisää tilauksesta
BLA9G1011LS-300GU	RF MOSFET LDMOS 32V SOT502E	924 Lisää tilauksesta
MCH6619-TL-E	PCH+PCH 4V DRIVE SERIES	303938 Lisää tilauksesta