BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon BLC8G27LS-160AVJ | BLC8G27LS-160AVJ Inventory, Best Pricing

BLC8G27LS-160AVJ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLC8G27LS-160AVJ
LIXINC Part #	BLC8G27LS-160AVJ
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLC8G27LS-160AVJ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLC8G27LS-160AVJ Tekniset tiedot

Osa numero:	BLC8G27LS-160AVJ
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	2.5GHz ~ 2.69GHz
saada:	14.3dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	250 mA
teho - lähtö:	31.6W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT1275-1
toimittajan laitepaketti:	DFM6

150-501N04A-00	RF MOSFET N-CHANNEL DE150	843 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-270V,118	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B	962 Lisää tilauksesta
BLF7G20LS-140P,112	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	993 Lisää tilauksesta
MMRF1008HR5	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	875 Lisää tilauksesta
BLC10G19XS-551AVZ	BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYDP	889 Lisää tilauksesta
BLF2425M8L140J	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	892 Lisää tilauksesta
MMRF1306HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	978 Lisää tilauksesta
MRF6S9130HSR3	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	971 Lisää tilauksesta
A2T21H410-24SR6	IC TRANS RF LDMOS	983 Lisää tilauksesta
BLF6G27LS-40P,112	RF MOSFET LDMOS DL 28V LDMOST	985 Lisää tilauksesta
AFT27S012NT1	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	844 Lisää tilauksesta
CG2H40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	2100 Lisää tilauksesta
CG2H40035F	GAN HEMT FET 28V 35W DC-4.0GHZ	1126 Lisää tilauksesta