NE3511S02-T1C-A | Rochester Electronics NE3511S02-T1C-A | NE3511S02-T1C-A Inventory, Best Pricing

NE3511S02-T1C-A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NE3511S02-T1C-A
LIXINC Part #	NE3511S02-T1C-A
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NE3511S02-T1C-A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NE3511S02-T1C-A Tekniset tiedot

Osa numero:	NE3511S02-T1C-A
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	HFET
taajuus:	12GHz
saada:	13.5dB
jännite - testi:	2 V
nykyinen arvo (ampeeria):	70mA
melukuva:	0.3dB
virta - testi:	10 mA
teho - lähtö:	-
jännite - nimellinen:	4 V
paketti/laukku:	4-SMD, Flat Leads
toimittajan laitepaketti:	S02

MRFG35010NT1	FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD	852 Lisää tilauksesta
MRF21010LR1	FET RF 65V 2.17GHZ NI-360	875 Lisää tilauksesta
FSS262-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	6962 Lisää tilauksesta
BLF6G13LS-250PGJ	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E	991 Lisää tilauksesta
CGH31240F	240W GAN HEMT 28V 2.7-3.1GHZ FET	974 Lisää tilauksesta
MRF140	FET RF 65V 150MHZ 211-11	847 Lisää tilauksesta
BLS9G2729LS-350U	RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B	896 Lisää tilauksesta
NE3503M04-T2B-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	164709 Lisää tilauksesta
BLM10D2327-40ABZ	BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP	1181 Lisää tilauksesta
2SJ281-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	46486 Lisää tilauksesta
MMRF1011HSR5	FET RF 100V 1.4GHZ	860 Lisää tilauksesta
PD84001	FET RF 18V 870MHZ	2538 Lisää tilauksesta
MRFE6VS25GNR1	RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULL	2135 Lisää tilauksesta