AFT27S006NT1 | NXP Semiconductors AFT27S006NT1 | AFT27S006NT1 Inventory, Best Pricing

AFT27S006NT1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AFT27S006NT1
LIXINC Part #	AFT27S006NT1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AFT27S006NT1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AFT27S006NT1 Tekniset tiedot

Osa numero:	AFT27S006NT1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.17GHz
saada:	22dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	70 mA
teho - lähtö:	28.8dBm
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	PLD-1.5W
toimittajan laitepaketti:	PLD-1.5W

MRF134	FET RF 65V 400MHZ 211-07	852 Lisää tilauksesta
BLP10H605AZ	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	1064 Lisää tilauksesta
BLM9D2325-20ABZ	RF MOSFET LDMOS SOT1462-1	1086 Lisää tilauksesta
BLM8G0710S-15PBGY	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122	943 Lisää tilauksesta
PD84006L-E	FET RF 25V 870MHZ	4474 Lisää tilauksesta
SAV-331+	SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 10 - 40	978 Lisää tilauksesta
MRF148A	FET RF 120V 175MHZ 211-07	942 Lisää tilauksesta
GTVA104001FA-V1	350W SI LDMOS, 50V, 1200-1400MHZ	993 Lisää tilauksesta
MMRF1016HR5	FET RF 2CH 120V 225MHZ	850 Lisää tilauksesta
BF998E6327	BF998 - RF SMALL SIGNAL TRANSIST	11292 Lisää tilauksesta
BLP8G27-10Z	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	1375 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-270GVJ	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C	997 Lisää tilauksesta
MRF6V3090NR1	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	956 Lisää tilauksesta