MRF6S19100NBR1 | NXP Semiconductors MRF6S19100NBR1 | MRF6S19100NBR1 Inventory, Best Pricing

MRF6S19100NBR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRF6S19100NBR1
LIXINC Part #	MRF6S19100NBR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRF6S19100NBR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRF6S19100NBR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRF6S19100NBR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	1.99GHz
saada:	14.5dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	950 mA
teho - lähtö:	22W
jännite - nimellinen:	68 V
paketti/laukku:	TO-272BB
toimittajan laitepaketti:	TO-272 WB-4

BLF6G38S-25,112	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B	931 Lisää tilauksesta
BLF0910H9LS750PU	BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY	990 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-100GVQ	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C	946 Lisää tilauksesta
AFV10700HR5	RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4	903 Lisää tilauksesta
BLL1214-250,112	RF TRANSISTOR	963 Lisää tilauksesta
BLC9H10XS-300PZ	BLC9H10XS-300P/SOT1273/TRAYDP	966 Lisää tilauksesta
BLC9H10XS-600AZ	BLC9H10XS-600A/SOT1250/TRAYDP	1028 Lisää tilauksesta
BLP05H6150XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	854 Lisää tilauksesta
PD85006L-E	TRANS RF POWER POWERFLAT5X5	842 Lisää tilauksesta
MRF6V13250HSR5	FET RF 120V 1.3GHZ NI780S	884 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-140,112	RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B	933 Lisää tilauksesta
BLA9H0912LS-250GU	BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY	1065 Lisää tilauksesta
MRF8S9120NR3	SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL	981 Lisää tilauksesta