BLC8G27LS-180AVZ | Ampleon BLC8G27LS-180AVZ | BLC8G27LS-180AVZ Inventory, Best Pricing

BLC8G27LS-180AVZ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLC8G27LS-180AVZ
LIXINC Part #	BLC8G27LS-180AVZ
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLC8G27LS-180AVZ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 15 - Sep 19 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLC8G27LS-180AVZ Tekniset tiedot

Osa numero:	BLC8G27LS-180AVZ
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	2.5GHz ~ 2.69GHz
saada:	14dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	200 mA
teho - lähtö:	28W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT1275-3
toimittajan laitepaketti:	DFM6

ART2K0FEU	ART2K0FE/SOT539/TRAY	1181 Lisää tilauksesta
CG2H40010F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1606 Lisää tilauksesta
MCH6415-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	9974 Lisää tilauksesta
MRF8S21120HSR3	RF S BAND, N-CHANNEL	1201 Lisää tilauksesta
MRF8P8300HSR6	FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S	941 Lisää tilauksesta
CGHV40100P	RF MOSFET HEMT 50V 440206	1069 Lisää tilauksesta
GTVA123501FA-V1	350W GAN HEMT, 50V, 1.2-1.4GHZ	961 Lisää tilauksesta
MRF1511NT1	RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C	962 Lisää tilauksesta
BLF8G20LS-160VU	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B	892 Lisää tilauksesta
BLC2425M10LS250Z	BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP	1097 Lisää tilauksesta
2SK772E	N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET	38432 Lisää tilauksesta
MMBFJ310LT1	RF N-CHANNEL, JUNCTION FET	3930 Lisää tilauksesta
MRF5S21045NBR1	FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4	900 Lisää tilauksesta