NE3512S02-T1D-A | Rochester Electronics NE3512S02-T1D-A | NE3512S02-T1D-A Inventory, Best Pricing

NE3512S02-T1D-A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NE3512S02-T1D-A
LIXINC Part #	NE3512S02-T1D-A
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NE3512S02-T1D-A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 04 - Jul 08 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NE3512S02-T1D-A Tekniset tiedot

Osa numero:	NE3512S02-T1D-A
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	HFET
taajuus:	12GHz
saada:	13.5dB
jännite - testi:	2 V
nykyinen arvo (ampeeria):	70mA
melukuva:	0.35dB
virta - testi:	10 mA
teho - lähtö:	-
jännite - nimellinen:	4 V
paketti/laukku:	4-SMD, Flat Leads
toimittajan laitepaketti:	S02

BLF8G22LS-140U	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	832 Lisää tilauksesta
BLD6G22L-50,112	RF TRANSISTOR	914 Lisää tilauksesta
BLA1011S-200R,112	RF TRANSISTOR	851 Lisää tilauksesta
SW02FQ	QUAD SPST BIFET SWITCH	2234 Lisää tilauksesta
ARF1500	MOSFET RF N-CH 500V 60A T1	1023 Lisää tilauksesta
BLC9G15XS-400AVTZ	RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7	886 Lisää tilauksesta
BLF8G22LS-270GV,12	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C	987 Lisää tilauksesta
MRFE6S9200HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1817 Lisää tilauksesta
BLF989U	BLF989/SOT539/TRAY	1051 Lisää tilauksesta
BLC9G20LS-470AVTY	RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583	977 Lisää tilauksesta
MRF275G	FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04	899 Lisää tilauksesta
BLF7G22LS-250P,112	N-CHANNEL, MOSFET	1042 Lisää tilauksesta
NPT2010	HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ	972 Lisää tilauksesta