BLS6G3135-20,112 | Ampleon BLS6G3135-20,112 | BLS6G3135-20,112 Inventory, Best Pricing

BLS6G3135-20,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLS6G3135-20,112
LIXINC Part #	BLS6G3135-20,112
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLS6G3135-20,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 11 - Sep 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLS6G3135-20,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLS6G3135-20,112
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Not For New Designs
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	3.1GHz ~ 3.5GHz
saada:	15.5dB
jännite - testi:	32 V
nykyinen arvo (ampeeria):	2.1A
melukuva:	-
virta - testi:	50 mA
teho - lähtö:	20W
jännite - nimellinen:	60 V
paketti/laukku:	SOT-608A
toimittajan laitepaketti:	CDFM2

BLC10G18XS-551AVZ	BLC10G22XS-551AV/SOT1258/TRAYDP	860 Lisää tilauksesta
MMRF1009HSR5	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S	937 Lisää tilauksesta
AFV141KHR5	IC TRANS RF LDMOS	808 Lisää tilauksesta
MRF8S9170NR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	2598 Lisää tilauksesta
BLF6G10LS-200RN:11	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B	1016 Lisää tilauksesta
MRFE6VP61K25HR5	FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230	952 Lisää tilauksesta
LET9045F	FET RF LDMOS 80V 9A M-250	868 Lisää tilauksesta
MRF6S27085HSR5	POWER, N-CHANNEL, MOSFET	940 Lisää tilauksesta
94-2402	IRF530 - 400V HEXFET, N-CHANNEL	1102 Lisää tilauksesta
PD57018TR-E	TRANSISTOR RF POWERSO-10	3077 Lisää tilauksesta
BLA9H0912L-700GU	BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY	1005 Lisää tilauksesta
IRF323	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1862 Lisää tilauksesta
MRFG35010R5	FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF	821 Lisää tilauksesta