PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors PMGD8000LN,115 | PMGD8000LN,115 Inventory, Best Pricing

PMGD8000LN,115

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PMGD8000LN,115
LIXINC Part #	PMGD8000LN,115
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PMGD8000LN,115 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PMGD8000LN,115 Tekniset tiedot

Osa numero:	PMGD8000LN,115
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	125mA
rds päällä (max) @ id, vgs:	8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	0.35nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	18.5pF @ 5V
teho - max:	200mW
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
toimittajan laitepaketti:	6-TSSOP