SI5511DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI5511DC-T1-E3 | SI5511DC-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI5511DC-T1-E3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI5511DC-T1-E3
LIXINC Part #	SI5511DC-T1-E3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI5511DC-T1-E3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI5511DC-T1-E3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI5511DC-T1-E3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N and P-Channel
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A, 3.6A
rds päällä (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	7.1nC @ 5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	435pF @ 15V
teho - max:	3.1W, 2.6W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SMD, Flat Lead
toimittajan laitepaketti:	1206-8 ChipFET™