NDS8852H | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NDS8852H

NDS8852H

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NDS8852H
LIXINC Part #	NDS8852H
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NDS8852H PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NDS8852H Tekniset tiedot

Osa numero:	NDS8852H
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N and P-Channel
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.3A, 3.4A
rds päällä (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	25nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 15V
teho - max:	1W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
toimittajan laitepaketti:	8-SOIC