SI4966DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4966DY-T1-GE3 | SI4966DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4966DY-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI4966DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4966DY-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI4966DY-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 24 - Sep 28 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI4966DY-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI4966DY-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
teho - max:	2W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
toimittajan laitepaketti:	8-SO