CSD86330Q3D | Texas Instruments CSD86330Q3D | CSD86330Q3D Inventory, Best Pricing

CSD86330Q3D

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CSD86330Q3D
LIXINC Part #	CSD86330Q3D
Valmistaja	Texas Instruments
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CSD86330Q3D PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CSD86330Q3D Tekniset tiedot

Osa numero:	CSD86330Q3D
Brändi:	Texas Instruments
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Texas Instruments
sarja:	NexFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20A
rds päällä (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 14A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6.2nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	920pF @ 12.5V
teho - max:	6W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-PowerLDFN
toimittajan laitepaketti:	8-LSON (3.3x3.3)