2SB1481(TOJS,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SB1481(TOJS,Q,M) | 2SB1481(TOJS,Q,M) Inventory, Best Pricing

2SB1481(TOJS,Q,M)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SB1481(TOJS,Q,M)
LIXINC Part #	2SB1481(TOJS,Q,M)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	TRANS PNP 4A 100V TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SB1481(TOJS,Q,M) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SB1481(TOJS,Q,M) Tekniset tiedot

Osa numero:	2SB1481(TOJS,Q,M)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	PNP
virta - kollektori (ic) (max):	4 A
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	100 V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	1.5V @ 6mA, 3A
virta - kollektorin katkaisu (max):	2µA (ICBO)
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	2000 @ 3A, 2V
teho - max:	2 W
taajuus - siirtymä:	-
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack
toimittajan laitepaketti:	TO-220NIS