2SA1931,NETQ(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1931,NETQ(M

2SA1931,NETQ(M

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SA1931,NETQ(M
LIXINC Part #	2SA1931,NETQ(M
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	TRANS PNP 5A 50V TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SA1931,NETQ(M PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SA1931,NETQ(M Tekniset tiedot

Osa numero:	2SA1931,NETQ(M
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	PNP
virta - kollektori (ic) (max):	5 A
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50 V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	400mV @ 200mA, 2A
virta - kollektorin katkaisu (max):	1µA (ICBO)
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1A, 1V
teho - max:	2 W
taajuus - siirtymä:	60MHz
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack
toimittajan laitepaketti:	TO-220NIS