NJVMJD3055T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NJVMJD3055T4G
LIXINC Part #	NJVMJD3055T4G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NJVMJD3055T4G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 27 - Oct 31 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NJVMJD3055T4G Tekniset tiedot

Osa numero:	NJVMJD3055T4G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	NPN
virta - kollektori (ic) (max):	10 A
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	60 V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	8V @ 3.3A, 10A
virta - kollektorin katkaisu (max):	50µA
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 4A, 4V
teho - max:	1.75 W
taajuus - siirtymä:	2MHz
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
toimittajan laitepaketti:	DPAK