2SA1312GRTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1312GRTE85LF

2SA1312GRTE85LF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SA1312GRTE85LF
LIXINC Part #	2SA1312GRTE85LF
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SA1312GRTE85LF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SA1312GRTE85LF Tekniset tiedot

Osa numero:	2SA1312GRTE85LF
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	PNP
virta - kollektori (ic) (max):	100 mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	120 V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	100nA (ICBO)
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
teho - max:	150 mW
taajuus - siirtymä:	100MHz
Käyttölämpötila:	125°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
toimittajan laitepaketti:	S-Mini