PDTD123YS,126 | NXP Semiconductors PDTD123YS,126 | PDTD123YS,126 Inventory, Best Pricing

PDTD123YS,126

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PDTD123YS,126
LIXINC Part #	PDTD123YS,126
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Kuvaus	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PDTD123YS,126 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PDTD123YS,126 Tekniset tiedot

Osa numero:	PDTD123YS,126
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Box (TB)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	NPN - Pre-Biased
virta - kollektori (ic) (max):	500 mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50 V
vastus - kanta (r1):	2.2 kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	10 kOhms
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 50mA, 5V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	500nA
taajuus - siirtymä:	-
teho - max:	500 mW
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3