FJN3312RTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJN3312RTA

FJN3312RTA

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FJN3312RTA
LIXINC Part #	FJN3312RTA
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Kuvaus	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FJN3312RTA PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 03 - Jul 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FJN3312RTA Tekniset tiedot

Osa numero:	FJN3312RTA
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Box (TB)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	NPN - Pre-Biased
virta - kollektori (ic) (max):	100 mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	40 V
vastus - kanta (r1):	47 kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	-
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	100nA (ICBO)
taajuus - siirtymä:	250 MHz
teho - max:	300 mW
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3