DTC123JUBHZGTL | ROHM Semiconductor DTC123JUBHZGTL | DTC123JUBHZGTL Inventory, Best Pricing

DTC123JUBHZGTL

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DTC123JUBHZGTL
LIXINC Part #	DTC123JUBHZGTL
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Kuvaus	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DTC123JUBHZGTL PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DTC123JUBHZGTL Tekniset tiedot

Osa numero:	DTC123JUBHZGTL
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Not For New Designs
transistorin tyyppi:	NPN - Pre-Biased + Diode
virta - kollektori (ic) (max):	100 mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	-
vastus - kanta (r1):	2.2 kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	47 kOhms
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	-
taajuus - siirtymä:	250 MHz
teho - max:	200 mW
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SC-85
toimittajan laitepaketti:	UMT3F