HSG1002VE-TL-E | Rochester Electronics HSG1002VE-TL-E | HSG1002VE-TL-E Inventory, Best Pricing

HSG1002VE-TL-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HSG1002VE-TL-E
LIXINC Part #	HSG1002VE-TL-E
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Kuvaus	RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HSG1002VE-TL-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HSG1002VE-TL-E Tekniset tiedot

Osa numero:	HSG1002VE-TL-E
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	NPN
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	3.5V
taajuus - siirtymä:	38GHz
melukuva (db tyyppi @ f):	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
saada:	8dB ~ 19.5dB
teho - max:	200mW
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 5mA, 2V
virta - kollektori (ic) (max):	35mA
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	4-SMD, Gull Wing
toimittajan laitepaketti:	4-MFPAK

Lämpimiä vinkkejä: Täytä alla oleva lomake. Otamme sinuun yhteyttä mahdollisimman pian.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.30000	$0.3

Lixinc tarjoaa sinulle kilpailukykyiset hinnat, katso tarjoukset.

[email protected]

LIXINC

Lähetä viesti

Ota rohkeasti yhteyttä saadaksesi lisätietoja.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015