BFP182WE6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFP182WE6327HTSA1 | BFP182WE6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BFP182WE6327HTSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BFP182WE6327HTSA1
LIXINC Part #	BFP182WE6327HTSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Kuvaus	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BFP182WE6327HTSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 21 - Oct 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BFP182WE6327HTSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BFP182WE6327HTSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	NPN
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	12V
taajuus - siirtymä:	8GHz
melukuva (db tyyppi @ f):	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
saada:	22dB
teho - max:	250mW
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 8V
virta - kollektori (ic) (max):	35mA
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SC-82A, SOT-343
toimittajan laitepaketti:	PG-SOT343-4