BFU630F,115 | NXP Semiconductors BFU630F,115 | BFU630F,115 Inventory, Best Pricing

BFU630F,115

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BFU630F,115
LIXINC Part #	BFU630F,115
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Kuvaus	RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BFU630F,115 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BFU630F,115 Tekniset tiedot

Osa numero:	BFU630F,115
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	NPN
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	5.5V
taajuus - siirtymä:	21GHz
melukuva (db tyyppi @ f):	0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
saada:	13dB ~ 22.5dB
teho - max:	200mW
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	90 @ 5mA, 2V
virta - kollektori (ic) (max):	30mA
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOT-343F
toimittajan laitepaketti:	4-DFP