MMBTH10M3T5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MMBTH10M3T5G
LIXINC Part #	MMBTH10M3T5G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Kuvaus	RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MMBTH10M3T5G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MMBTH10M3T5G Tekniset tiedot

Osa numero:	MMBTH10M3T5G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	NPN
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	25V
taajuus - siirtymä:	650MHz
melukuva (db tyyppi @ f):	-
saada:	-
teho - max:	265mW
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
virta - kollektori (ic) (max):	-
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOT-723
toimittajan laitepaketti:	SOT-723