HN4A51JTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HN4A51JTE85LF
LIXINC Part #	HN4A51JTE85LF
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - taulukot
Kuvaus	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HN4A51JTE85LF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HN4A51JTE85LF Tekniset tiedot

Osa numero:	HN4A51JTE85LF
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - taulukot
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	2 PNP (Dual)
virta - kollektori (ic) (max):	100mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	120V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	100nA (ICBO)
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
teho - max:	300mW
taajuus - siirtymä:	100MHz
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SC-74A, SOT-753
toimittajan laitepaketti:	SMV