RN1901FETE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RN1901FETE85LF
LIXINC Part #	RN1901FETE85LF
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - taulukot, esijännite
Kuvaus	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RN1901FETE85LF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RN1901FETE85LF Tekniset tiedot

Osa numero:	RN1901FETE85LF
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - taulukot, esijännite
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
virta - kollektori (ic) (max):	100mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50V
vastus - kanta (r1):	4.7kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	4.7kOhms
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 10mA, 5V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	100nA (ICBO)
taajuus - siirtymä:	250MHz
teho - max:	100mW
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOT-563, SOT-666
toimittajan laitepaketti:	ES6