NSVBA114EDXV6T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NSVBA114EDXV6T1G
LIXINC Part #	NSVBA114EDXV6T1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - taulukot, esijännite
Kuvaus	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NSVBA114EDXV6T1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NSVBA114EDXV6T1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NSVBA114EDXV6T1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - taulukot, esijännite
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
virta - kollektori (ic) (max):	100mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50V
vastus - kanta (r1):	10kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	10kOhms
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	35 @ 5mA, 10V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	500nA
taajuus - siirtymä:	-
teho - max:	500mW
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOT-563, SOT-666
toimittajan laitepaketti:	SOT-563-6