GDZ8V2B-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division GDZ8V2B-HE3-18

GDZ8V2B-HE3-18

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	GDZ8V2B-HE3-18
LIXINC Part #	GDZ8V2B-HE3-18
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - zener - single
Kuvaus	DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	GDZ8V2B-HE3-18 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

GDZ8V2B-HE3-18 Tekniset tiedot

Osa numero:	GDZ8V2B-HE3-18
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - zener - single
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
jännite - zener (nom) (vz):	8.2 V
toleranssi:	±2%
teho - max:	200 mW
impedanssi (max) (zzt):	30 Ohms
virta - käänteinen vuoto @ vr:	500 nA @ 5 V
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	-
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SC-76, SOD-323
toimittajan laitepaketti:	SOD-323