PLZ9V1B-G3/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division PLZ9V1B-G3/H

PLZ9V1B-G3/H

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PLZ9V1B-G3/H
LIXINC Part #	PLZ9V1B-G3/H
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - zener - single
Kuvaus	DIODE ZENER 8.79V 960MW DO219AC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PLZ9V1B-G3/H PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PLZ9V1B-G3/H Tekniset tiedot

Osa numero:	PLZ9V1B-G3/H
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - zener - single
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	Automotive, AEC-Q101, PLZ
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
jännite - zener (nom) (vz):	8.79 V
toleranssi:	±2.5%
teho - max:	960 mW
impedanssi (max) (zzt):	8 Ohms
virta - käänteinen vuoto @ vr:	500 nA @ 6 V
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	900 mV @ 10 mA
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-219AC
toimittajan laitepaketti:	DO-219AC (microSMF)