BZT52C8V2-E3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZT52C8V2-E3-08

BZT52C8V2-E3-08

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BZT52C8V2-E3-08
LIXINC Part #	BZT52C8V2-E3-08
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - zener - single
Kuvaus	DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BZT52C8V2-E3-08 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BZT52C8V2-E3-08 Tekniset tiedot

Osa numero:	BZT52C8V2-E3-08
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - zener - single
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
jännite - zener (nom) (vz):	8.2 V
toleranssi:	±5%
teho - max:	410 mW
impedanssi (max) (zzt):	4.5 Ohms
virta - käänteinen vuoto @ vr:	100 nA @ 6 V
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	-
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOD-123
toimittajan laitepaketti:	SOD-123