BZD17C4V7P-E3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD17C4V7P-E3-18

BZD17C4V7P-E3-18

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BZD17C4V7P-E3-18
LIXINC Part #	BZD17C4V7P-E3-18
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - zener - single
Kuvaus	DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BZD17C4V7P-E3-18 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 24 - Sep 28 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BZD17C4V7P-E3-18 Tekniset tiedot

Osa numero:	BZD17C4V7P-E3-18
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - zener - single
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
jännite - zener (nom) (vz):	4.7 V
toleranssi:	-
teho - max:	800 mW
impedanssi (max) (zzt):	-
virta - käänteinen vuoto @ vr:	10 µA @ 10 V
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.2 V @ 200 mA
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-219AB
toimittajan laitepaketti:	DO-219AB (SMF)