GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 | GB10SLT12-252 Inventory, Best Pricing

GB10SLT12-252

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	GB10SLT12-252
LIXINC Part #	GB10SLT12-252
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	GB10SLT12-252 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

GB10SLT12-252 Tekniset tiedot

Osa numero:	GB10SLT12-252
Brändi:	GeneSiC Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	GeneSiC Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
diodityyppi:	Silicon Carbide Schottky
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	1200 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	10A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	2 V @ 10 A
nopeus:	No Recovery Time > 500mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	0 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	250 µA @ 1200 V
kapasitanssi @ vr, f:	520pF @ 1V, 1MHz
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
toimittajan laitepaketti:	TO-252
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 175°C